75A/1200V E75 IGBT-모듈형 Infineon Fp75r12kt4

기본정보

모델 번호.	WGL75P120E75
모델	Wgl75p120e75
배치 번호	2021+
마르케	등
주요자료	식
운송 패키지	판지
사양	L122,5*B62,5mm
기원	Cn
HS 코드	8504409190

상품 설명

제품 사진: 제품 매개변수:

매개변수	상징	정황	베르트	단위
컬렉터-이미터 전압	VCES	VGE=0V, 나는씨=1mA, Tvj=25°C	1200	V
연속 컬렉터 전류	나씨	Tc=80°C, Tvjmax=175°C	75	ㅏ
피크 콜렉터 전류	나CRM	tp=1ms	150	ㅏ
게이트 이미터 전압	VGES	온도=25°C	±20	V
총 전력 손실(IGBT 인버터)	피두번	티씨=25°C 티vjmax=175°C	476	여

 

형질

• 낮은 인덕턴스 하우징
• 낮은 스위칭 손실
• 통합 NTC 온도 센서
• 절연 베이스 플레이트
• 빠르고 원활한 복구를 제공하는 역병렬 FWD 포함
• 높은 단락 성능(10us)
• 낮은 인덕턴스 모듈 구조
• 최대 장벽층 온도 175°C

장점

• 동일한 크기로 더 높은 인버터 출력 전류
• 인버터 시스템 단순화로 시스템 비용 절감
• 간단하고 매우 안정적인 조립
• 높은 연결 신뢰성
• 압입 및 납땜 공정에 적합

응용

• 상업용, 건설용, 농업용 차량(CAV)
• 모터 제어 및 드라이브
• 태양 에너지 시스템 솔루션
• 무정전 전원 공급 장치(UPS)
• 소프트 스위칭 용접기
• AC 및 DC 서보 드라이브 증폭기

E75 IGBT 모듈은 전 세계적으로 가장 널리 사용되는 IGBT 패키지 중 하나이며 다음과 같은 다양한 애플리케이션에 사용됩니다. B. 범용 드라이브에서; 상업용, 건설용, 농업용 차량 및 eBus; 태양광; 바람; 견인; UPS 및 마지막으로 전송 및 배포. 최신 세대의 모듈에서는 이제 모듈 전류를 150A까지 증가시킬 수 있습니다. 이는 더 높은 전력 밀도와 더 낮은 BOM 비용을 가능하게 하는 신기술 덕분에 가능해졌습니다. 회로도

패키지 도면

E75 시리즈 제품:

모델	Vces(V)	IC(T=80)(A)	VCE(토) Tj=125°C	에온+Eof(Tj=125)(mj)	Rthjc(KW)
WGL50F120E75	1200	50	1,85	11.88	0,41
WGL75F120E75	1200	75	1,85	15.96	0,33
WGL100F120E75	1200	100	1,85	17.48	0,20
WGL150F120E75	1200	150	1,85	34.2	0,17

 

자주하는 질문:1. IGBT가 175°C 과부하에 맞게 설계된 이유는 무엇입니까?
CETC IGBT는 175°C의 연속 온도에서 작동하도록 설계되었습니다. 과부하 제한은 패키지에 의해 지정됩니다. 대부분의 애플리케이션은 과부하 프로파일로 설계되었으며 여기서는 IGBT가 완벽한 솔루션입니다. CETC IGBT는 가장 낮은 정적 손실을 제공합니다.